Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0833
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.746 | CHF.37.28 |
| 100 - 200 | CHF.0.714 | CHF.35.44 |
| 250 + | CHF.0.672 | CHF.33.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0833
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Leistungs-MOSFET verfügt über Qg mit niedriger Gate-Ladung, was zu einem einfachen Treiberbedarf führt und eine verbesserte Gate-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit bietet.
Betriebstemperaturbereich von Verbindung und Lagerung: 55 bis +150 °C.
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