Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3718
Herst. Teile-Nr.:
SQJ431AEP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

760mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

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