Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SQJ431AEP-T1_GE3 SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.13.65

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 10’290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.1.365CHF.13.61
100 - 490CHF.1.155CHF.11.55
500 - 990CHF.1.019CHF.10.22
1000 +CHF.0.882CHF.8.84

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3873
Herst. Teile-Nr.:
SQJ431AEP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

760mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5 mm

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Verwandte Links