Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 66 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3916
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.13.43
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF 1.343 | CHF 13.43 |
| 100 - 490 | CHF 1.04 | CHF 10.40 |
| 500 - 990 | CHF 0.879 | CHF 8.83 |
| 1000 + | CHF 0.758 | CHF 7.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-3916
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Verwandte Links
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 66 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 45 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9.4 A 68 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 30 A 45 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 3 W, 3-Pin SOT-23