Vishay Siliconix SQJ872EP Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.11.62

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • 2'920 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.1.162CHF.11.64
100 - 490CHF.0.99CHF.9.88
500 - 990CHF.0.869CHF.8.73
1000 +CHF.0.758CHF.7.57

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3903
Herst. Teile-Nr.:
SQJ872EP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

SQJ872EP

Gehäusegröße

SO-8L

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0395Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.07mm

Breite

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.99mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN

MOSFET der Serie SQJ872EP von Vishay Siliconix, 150 V Drain-Source-Spannung, 24,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SQJ872EP-T1_GE3


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für Anwendungen in der Automobilklasse geeignet ist, und wird in einem kompakten SO-8L-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert. Das Gerät ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine robuste Stromverarbeitung und effizientes Schalten bei erhöhten Spannungen erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 150 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0,0395 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• 14 nC typische Gate-Ladung sorgt für reaktionsschnelles Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die ein Hochspannungsschalten erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen
• Wird für Motorantriebsstufen in elektrischen und mechanischen Geräten verwendet
• Kann zum Schalten der Stromversorgung in Telematik- und Steuereinheiten verwendet werden

Welche Befestigungsmethode sollte für eine zuverlässige Montage verwendet werden?


Das Gerät ist für die Leiterplattenmontage in einer SO-8L-Grundfläche vorgesehen, um einen stabilen elektrischen und thermischen Kontakt zu gewährleisten.

Wie verhält sich das Gerät bei weiten Temperatur extremen Bedingungen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen, wie sie in Automobil- und Industrieumgebungen auftreten.

Welche Eigenschaften beeinflussen Schaltverluste am unmittelbarsten?


Schaltverluste werden durch die typische Gate-Ladung von 14 nC und die Kombination von Rds(on) mit Ablassspannung während der Übergänge beeinflusst.

Wie viele Stifte sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?


Das Gehäuse bietet acht Pins für Standard-SO-8L-Leiterplatten-Layouts und Routing-Anforderungen.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.