Vishay Siliconix SQJ872EP N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 24.5 A 55 W, 8-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 500 - 990 | CHF 0.869 | CHF 8.73 |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3903
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0395Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.99mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie SQJ872EP | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0395Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.99mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie SQJ872EP von Vishay, 150 V Drain-Source-Spannung, 24,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – SQJ872EP-T1_GE3
Dieser MOSFET ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er dient als N-Kanal-Verbesserungstransistor für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen. Das Gerät ist für die Leiterplattenmontage in einem kleinen Gehäuse geeignet und wird gemäß den Umweltstandards der Industrie hergestellt.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,0395 Ω sorgt für geringere Leitungsverluste
• Hohe Spannungsfestigkeit von 150 V ermöglicht einen robusten Schaltbereich
• Nenndauerstrom von 24,5 A für erhebliche Lastströme
• Gate-Ladung 14 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Große Gate-Toleranz von ±20 V, wodurch das Gate-Treiber-Design flexibel ist
• Hohe Spannungsfestigkeit von 150 V ermöglicht einen robusten Schaltbereich
• Nenndauerstrom von 24,5 A für erhebliche Lastströme
• Gate-Ladung 14 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Verlustleistung von 55 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Große Gate-Toleranz von ±20 V, wodurch das Gate-Treiber-Design flexibel ist
Anwendungen
• Geeignet für Kfz-Leistungsstufen, die die AEC‐Q101-Konformität erfordern
• Ideal für industrielle Motorantriebsschalter-Arrays
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in Hochspannungssystemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Nützlich in Wechselrichtern und USV-Frontend-Schaltstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschalter-Arrays
• Einsatz mit DC/DC-Wandlern in Hochspannungssystemen
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Nützlich in Wechselrichtern und USV-Frontend-Schaltstufen
Welchen Temperaturbereich verträgt er in rauen Installationen?
Er arbeitet in einem erweiterten Bereich von -55 °C bis 175 °C und unterstützt extreme industrielle und Automobil-Temperaturbedingungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Das Gerät wird in einem SO‐8L-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage entwickelt wurde, um die Integration in kompakte Baugruppen zu vereinfachen.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Systemdesign aus?
Der Durchlassverlust beträgt unter bestimmten Bedingungen 1,2 V, was bei der Berechnung der Verlustleistung und bei der Bewertung des Wärmemanagements berücksichtigt werden sollte.
Ist das Gerät für regulierte Fertigungs- und Umweltanforderungen geeignet?
Er erfüllt die RoHS-Richtlinien, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe in den Komponentenmaterialien hinweist.
Verwandte Links
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