Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 107 W, 4-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 178-3960
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD40061EL_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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- 178-3960
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD40061EL_GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 185nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Breite | 2.38 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 185nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Breite 2.38 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
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