Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 107 W, 4-Pin SQD40061EL_GE3 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.12.81

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’560 Einheit(en) mit Versand ab 01. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.1.281CHF.12.85
100 - 490CHF.1.092CHF.10.92
500 - 990CHF.0.966CHF.9.65
1000 +CHF.0.84CHF.8.37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-3960
Herst. Teile-Nr.:
SQD40061EL_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay Siliconix

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

185nC

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Durchlassspannung Vf

-1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.38 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

Verwandte Links