onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 19 A 154 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-4243
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP165N65S3
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF.2.216 | CHF.110.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-4243
- Herst. Teile-Nr.:
- FCP165N65S3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 165mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 154W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free, Halide Free | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 165mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 154W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free, Halide Free | ||
Breite 4.7 mm | ||
Höhe 16.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter
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