onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 127 A 89 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
178-4296
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C446NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale

Niedriger Einschaltwiderstand

Hohe Strombelastbarkeit

PPAP-fähig

NVMFD5C446NWF – Option mit benetzbaren Flanken

Vorteile

Minimale Leitungsverluste.

Robustes Lastverhalten

Schutz gegen Ausfälle durch Spannungsüberlastung

Für Automobilanwendungen geeignet

Verbesserte optische Prüfung

Anwendungen

Spulentreiber

Treiber für Niederspannungsseite/Hochspannungsseite

Endprodukte

Automobil-Motorsteuergeräte

Antiblockiersysteme

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