Teile-Nr.

onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin NTTFS6H850NTAG WDFN

RS Best.-Nr.:: 178-4439
Herst. Teile-Nr.:: NTTFS6H850NTAG
Marke:: onsemi

onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin NTTFS6H850NTAG WDFN

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RS Best.-Nr.:: 178-4439
Herst. Teile-Nr.:: NTTFS6H850NTAG
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	68A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	NTTFS6H850N
	Gehäusegröße	WDFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd	107W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	3.15 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.15mm
	Höhe	0.75mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie NTTFS6H850N
	Gehäusegröße WDFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd 107W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 3.15 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.15mm
	Höhe 0.75mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MY

Kommerzieller Leistungs-MOSFET in einem 3x3 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung.

Merkmale

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gateladung

Kleine Abmessungen (3 x 3 mm)

Vorteile

Minimiert Leitungsverluste

Minimiert Schaltverluste

Kompaktes Design

Anwendungen

Batterieverpolungsschutz

Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)

Synchrone Gleichrichtung

Endprodukte

Motorsteuerung

Batteriemanagement

Schaltnetzteile

onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin NTTFS6H850NTAG WDFN

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