onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 162 A 107 W, 8-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:
229-6507
Herst. Teile-Nr.:
NVTFS4C02NWFTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.25mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.15mm

Breite

0.8 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.

Kompaktes Design

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Inspektion

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