onsemi NVTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 28.3 A 107 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6760
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS4C02NTAG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.16.91
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’430 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.691 | CHF.16.87 |
| 100 - 240 | CHF.1.449 | CHF.14.54 |
| 250 + | CHF.1.26 | CHF.12.61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6760
- Herst. Teile-Nr.:
- NVTFS4C02NTAG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NVTFS | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 107W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.15mm | |
| Höhe | 3.15mm | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NVTFS | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 107W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.15mm | ||
Höhe 3.15mm | ||
Breite 0.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 3 x 3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Die benetzbare Flankenoption ist für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich. Es verwendete AEC-Q101-qualifizierten MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Verwandte Links
- onsemi NVTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 28.3 A 107 W, 8-Pin WDFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 107 A 68 W, 8-Pin WDFN
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 107 A 68 W, 8-Pin NTTFS5C453NLTAG WDFN
- onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS5C453NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 107 A 68 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NVTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin NTTFS6H850NTAG WDFN
- onsemi NVTFS5C453NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 107 A 68 W, 8-Pin NVTFS5C453NLWFTAG WDFN