onsemi NVTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 28.3 A 107 W, 8-Pin WDFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
221-6759
Herst. Teile-Nr.:
NVTFS4C02NTAG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Serie

NVTFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.8 mm

Höhe

3.15mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 3 x 3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Die benetzbare Flankenoption ist für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich. Es verwendete AEC-Q101-qualifizierten MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Verwandte Links