onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 68 A 57.5 W, 8-Pin DFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
178-4503
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C668NLT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.8nC

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

57.5W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.05mm

Breite

6.1 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

NVMFD5C668NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

Verwandte Links