Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 10.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
178-5073
Herst. Teile-Nr.:
BSP613PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

10.8W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

40mm

Breite

40mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,9 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP613PH6327XTSA1


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet kontrollierte gate-gesteuerte Schaltvorgänge für Automobil- und Industriesysteme und bietet eine Kombination aus moderater Strombelastbarkeit und Temperaturtoleranz, um den Betrieb bei hohen Temperaturen und kompakte Leiterplattenlayouts zu unterstützen.

Merkmale und Vorteile:


• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 2,9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine konstante Lastübertragung
• Maximale Rds(on) von 130 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC vereinfacht die Gate-Drive-Grösse
• Maximale Verlustleistung von 10.8 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C eignet sich für breite Temperaturbereiche

Anwendungsbereich


• Geeignet für Lastschaltvorgänge in der Automobilelektronik
• Ideal für industrielle Hochtemperatur-Steuerschaltkreise
• Wird mit kompakten Leistungsreglern in oberflächenmontierten Designs verwendet
• Kann für Polaritäts- und Rückstromschutzanordnungen verwendet werden
• Wird für Batteriemanagementfunktionen mit niedrigem bis mittlerem Strom verwendet

Welche Montageart ist für die Montage erforderlich?


Es verwendet ein 4-poliges SOT-223-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das mit Standard-SMT-Reflow-Prozessen und gängigen Leiterplatten-Layouts kompatibel ist.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?


Die maximale zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben müssen, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Systemdesign aus?


Die Durchlassspannung von ca. 1,1 V informiert über die Leistungsverlustberechnung während der Leitung und hilft dabei, die Anforderungen an das Wärmemanagement in der Anwendung zu bestimmen.

Ist dieses Gerät für Projekte in Automobilqualität geeignet?


Er erfüllt die AEC-Q101-Kriterien und eignet sich daher für viele Implementierungen von Kfz-Elektronikmodulen.

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