Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 8.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7315
Herst. Teile-Nr.:
SI7414DN-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.025Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

3.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.61mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Breite

3.61 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-N-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 25 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 1,5 W und einen Dauerstrom von 5,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• PWM-optimiert

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Motortreiber

• Primärseitige Schalter

• Synchroner Gleichrichter

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

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