Teile-Nr.

Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 21 A 35 W TO-220

RS Best.-Nr.:: 180-7342
Herst. Teile-Nr.:: SIHA22N60E-E3
Marke:: Vishay

Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 21 A 35 W TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 180-7342
Herst. Teile-Nr.:: SIHA22N60E-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-220
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.18Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	86nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	±30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	35W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	13.8mm
	Breite	10.3 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-220
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.18Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC
	Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 35W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 13.8mm
	Breite 10.3 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

The Vishay SIHA22N60E is a E series N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having Thin-Lead TO-220 FULLPAK package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.18ohms at 10VGS. Maximum drain current 8A.

Low figure of merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Vishay Einfach E Typ N-Kanal MOSFET 600 V / 21 A 35 W TO-220

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