Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7360
Distrelec-Artikelnummer:
303-97-243
Herst. Teile-Nr.:
SIS443DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0117Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.79mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.61 mm

Länge

3.61mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 11,7 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 52 W und einen Dauerstrom von 35 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Adapterschalter

• DC/DC-Wandler

• Lastschalter

• Mobiles Computing

• Notebook-Computer

• Strommanagement

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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