Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2362ES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2362ES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 2.64mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 2.64mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 95mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.3A. It has a driving voltage of 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -150 V / -0.84 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.1 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -2.5 A 1.9 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.3 A 2 W, 3-Pin SOT-23