Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.3 A 3 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
180-7400
Herst. Teile-Nr.:
SQ2362ES-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.64 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 95mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.3A. It has a driving voltage of 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Verwandte Links