Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

RS Best.-Nr.:: 180-7886
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.13.89

Auf Lager

Zusätzlich 2'920 Einheit(en) mit Versand ab 27. August 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 +	CHF 2.778	CHF 13.87

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 180-7886
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	SI7956DP
	Gehäusegröße	PowerPack
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-50°C
	Maximale Verlustleistung Pd	3.5W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Länge	6.25mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.26mm
	Höhe	1.12mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie SI7956DP
	Gehäusegröße PowerPack
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -50°C
	Maximale Verlustleistung Pd 3.5W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Länge 6.25mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.26mm
	Höhe 1.12mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET der Serie SI7956DP von Vishay, 150 V Drain-Quellenspannung, 4,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI7956DP-T1-GE3

Dieser Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Schaltgerät, das für Hochspannungs-Stromversorgungsanwendungen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es bietet eine kontrollierte Leitung für Lastschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben, arbeitet über einen breiten Umgebungsbereich und ist für die Integration auf Board-Ebene vorgesehen, wo kompakte Dual-Transistor-Lösungen erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 0,1 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz • 17 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 3,5 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kompakten Baugruppen

Anwendungen

• Geeignet für DC/DC-Wandlerstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für Motortreiber-Halbbrückenschaltungen in Schalttafeln • Wird für Schaltnetzteile in der Industrieelektronik verwendet • Kann für Stromverteilungsschalter auf kompakten Leiterplatten verwendet werden

Welche Gate- und Ableiterspannungen sind für einen sicheren Betrieb zulässig?

Das Gate kann bis zu 20 V betrieben werden und das Gerät hält Ablass-Quellenspannungen von bis zu 150 V stand.

Welche thermischen Extreme kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Dauerbetrieb von -50 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt.

Wie viele Pins und welcher Gehäusetyp sollten für das Leiterplatten-Layout erwartet werden?

Die Komponente wird als 8-poliges PowerPack-Oberflächenmontagegerät geliefert, das für Standard-Erdungsmuster geeignet ist.

Wie wirkt sich die duale Konfiguration auf die Schaltungsimplementierung aus?

Zwei Transistoren werden in einem einzigen Gehäuse geliefert, was kompakte, gepaarte Schalteranordnungen und eine vereinfachte Leiterplattenführung ermöglicht.