Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 3 W, 3-Pin SQ2318AES-T1_GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
180-8032
Herst. Teile-Nr.:
SQ2318AES-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.04mm

Breite

2.64 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er verfügt über einen Drain-Source-Widerstand von 31 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3 W und einen Dauerstrom von 8 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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