Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-8032
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.505 | CHF.12.58 |
| 250 - 600 | CHF.0.374 | CHF.9.44 |
| 625 - 1225 | CHF.0.323 | CHF.8.18 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.273 | CHF.6.92 |
| 2500 + | CHF.0.253 | CHF.6.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8032
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er verfügt über einen Drain-Source-Widerstand von 31 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3 W und einen Dauerstrom von 8 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen MOSFET beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
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