Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 17 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 180-8324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI540GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-8324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI540GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.077Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.077Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal, das TO-220-3-Gehäuse ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Es hat einen Ablassquellenwiderstand von 77 Mohm bei einer Gate-Quelle-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 48 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.
Merkmale und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Nennleistung
• Isoliertes Gehäuse
• Bleifreie (Pb)-Komponente
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C
• Der Abstand zwischen Spüle und Kabel beträgt 4,8 mm
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Frequenzumrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 17 A 48 W, 3-Pin TO-220
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 3-Pin TO-220
- Vishay SiHP052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal MOSFET N / 10.1 A TO-220
- onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 48 W, 3-Pin TO-220