Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 813-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLIZ44GPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.101 | CHF.15.51 |
| 50 - 120 | CHF.2.919 | CHF.14.58 |
| 125 - 245 | CHF.2.788 | CHF.13.96 |
| 250 - 495 | CHF.2.485 | CHF.12.41 |
| 500 + | CHF.2.323 | CHF.11.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 813-0711
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLIZ44GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRLI | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Höhe | 15.9mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRLI | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.69 mm | ||
Höhe 15.9mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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