Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9.9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 708-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLI640GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.735
Auf Lager
- 375 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.747 | CHF.13.76 |
| 25 - 45 | CHF.2.343 | CHF.11.70 |
| 50 - 120 | CHF.2.202 | CHF.11.01 |
| 125 - 245 | CHF.2.06 | CHF.10.31 |
| 250 + | CHF.1.929 | CHF.9.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLI640GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRLI | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.8mm | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRLI | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.8mm | ||
Höhe 9.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9.9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 9.9 A TO-220
- Vishay IRFR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 9.9 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Vishay Si5419DU Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9.9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- Vishay IRFZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 4 A 30 W, 3-Pin TO-220