Vishay IRLI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 9.9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-1792
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLI640GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.365 | CHF.67.99 |
| 100 - 200 | CHF.1.187 | CHF.59.12 |
| 250 + | CHF.1.008 | CHF.50.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-1792
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLI640GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRLI | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Länge | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRLI | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 10.3 mm | ||
Länge 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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