Infineon LogicFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 10 A 48 W, 3-Pin IRL520NPBF TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
541-1196
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-391
Herst. Teile-Nr.:
IRL520NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

LogicFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.54mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.77mm

Breite

4.69 mm

Distrelec Product Id

30341391

Automobilstandard

Nein

Infineon LogicFET Serie MOSFET, 10A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 48W maximale Verlustleistung - IRL520NPBF


Dieser MOSFET ist für verschiedene Hochleistungsanwendungen konzipiert. Durch seine N-Kanal-Konfiguration und die Fähigkeit zum Anreicherungsmodus eignet er sich für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Automatisierungs- und Elektrobranche. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 10 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V bietet er eine konstante Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp ermöglicht ein effektives Wärmemanagement in verschiedenen Einbausituationen.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Verlustleistung von 48 W für robuste Leistung

• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 180 mΩ verbessert den Wirkungsgrad

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet Zuverlässigkeit

• Geeignet für die Durchsteckmontage, was eine einfache Integration ermöglicht

• Verbesserte Gate-Schwellenspannung zwischen 1V und 2V optimiert die Steuerung

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht Entwurf und Montage

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur effizienten Spannungsregelung

• Wird aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit in Motorsteuerungen eingesetzt

• Einsetzbar in der industriellen Automatisierung für effektive Schaltvorgänge

• Integriert in Power-Management-Lösungen für energieeffiziente Designs

Welche Art der Kühlung wird für eine optimale Leistung empfohlen?


Eine wirksame Kühlung ist unerlässlich, um die Betriebseffizienz aufrechtzuerhalten und eine Überhitzung zu vermeiden, insbesondere bei hoher Belastung.

Kann er direkt durch andere MOSFETs ersetzt werden?


Auch wenn ein direkter Ersatz möglich ist, müssen Spezifikationen wie Strom- und Spannungswerte sowie die Anforderungen an den Gate-Antrieb berücksichtigt werden, um Kompatibilität und Funktionalität zu gewährleisten.

Was ist die empfohlene maximale Gate-Source-Spannung?


Die maximale Gate-Source-Spannung sollte -16V bis +16V nicht überschreiten, um Schäden am Gerät zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Wie sollte ich diesen MOSFET beim Einbau behandeln?


Treffen Sie Vorkehrungen gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sorgen Sie für sichere Verbindungen, um Ausfälle oder intermittierenden Betrieb nach der Installation in einem Schaltkreis zu vermeiden.

Ist es für Hochfrequenzanwendungen geeignet?


Dieser MOSFET eignet sich für Schaltanwendungen, doch sollte auf die Gate-Ansteuerungsgeschwindigkeit und die Lastbedingungen geachtet werden, um Leistungseinbußen bei höheren Frequenzen zu vermeiden.

Verwandte Links