Infineon LogicFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NPBF
- Marke:
- Infineon
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| 250 - 950 | CHF.0.494 | CHF.24.73 |
| 1000 - 2450 | CHF.0.483 | CHF.24.10 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | LogicFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie LogicFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Breite 4.69 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
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