Infineon LogicFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
919-4889
Herst. Teile-Nr.:
IRL530NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

LogicFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.69 mm

Länge

10.54mm

Höhe

8.77mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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