Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
168-6034
Herst. Teile-Nr.:
IRLR3410TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

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