Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 130 A 200 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 919-4943
Herst. Teile-Nr.:: IRL1004PBF
Marke:: Infineon

Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 130 A 200 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRL1004PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	130A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	LogicFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Gate-Source-spannung max Vgs	-16V, +16V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	100nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.54mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.69mm
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie LogicFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.54mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.69mm
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon LogicFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRL1004PBF

Dieser Hochleistungs-MOSFET verwendet Si-Technologie und ist für effizientes Power-Management in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen konzipiert. Die N-Kanal-Struktur im Anreicherungsmodus gewährleistet einen effektiven Betrieb und eignet sich daher für moderne Automatisierungs- und Elektrosysteme, insbesondere für Schaltungen mit hoher Leistung.

Eigenschaften und Vorteile

• Kontinuierliche Stromaufnahmekapazität von bis zu 130 A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für robuste Leistung

• Niedriger Rds(on) von 7mΩ zur Verringerung der Wärmeentwicklung

• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C

• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht vielseitige Montageoptionen

Anwendungsbereich

• Hocheffiziente Stromversorgungsschaltungen

• Automobile und industrielle Automatisierungssysteme

• Energiemanagement und Energieumwandlungssysteme

Wie trägt der Rds(on) zur Effizienz des Geräts bei?

Ein niedriger Rds(on) von 7mΩ minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs, wodurch die Wärmeentwicklung reduziert und die Gesamteffizienz bei Leistungsanwendungen verbessert wird.

Welche Bedeutung hat der Betriebstemperaturbereich?

Das Gerät kann in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden, wodurch eine zuverlässige Leistung unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet und das Risiko eines thermischen Ausfalls minimiert wird.

Kann es für Hochfrequenz-Schaltanwendungen verwendet werden?

Ja, er ist für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und eignet sich daher für Hochfrequenzvorgänge, was die Leistung in Kommunikations- und Steuersystemen verbessert.

Welche Überlegungen sollten bei der Installation angestellt werden?

Verwenden Sie geeignete Wärmemanagementtechniken, z. B. einen geeigneten Kühlkörper, da Hochleistungsgeräte eine wirksame Wärmeableitung benötigen, um ihre Funktionalität und Zuverlässigkeit zu erhalten.

Was passiert, wenn die Gate-Source-Spannung den maximalen Nennwert überschreitet?

Ein Überschreiten der maximalen Gate-Source-Spannung kann zu einem Ausfall des Geräts führen. Daher ist es wichtig, die angegebenen Grenzwerte einzuhalten, um eine lange Lebensdauer zu gewährleisten und Schäden zu vermeiden.