Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 130 A 300 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 913-3979
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4310PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 130 A 300 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 913-3979
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4310PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	130A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	170nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	9.02mm
	Länge	10.66mm
	Breite	4.82 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 9.02mm
	Länge 10.66mm
	Breite 4.82 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300W maximale Verlustleistung - IRFB4310PBF

Dieser robuste und effiziente Leistungstransistor ist für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektroindustrie konzipiert. Die N-Kanal-Technologie bietet Vorteile bei der Energieverwaltung und den Schaltfunktionen. Sein Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C erhöht seine Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Unterstützt bis zu 130 A kontinuierlichen Ableitstrom für hohe Lastanforderungen

• Arbeitet mit einer maximalen Spannung von 100 V für bessere Nutzbarkeit

• Niedriger RDS(on) von 7 mΩ minimiert den Leistungsverlust

• Verbesserungsmodus zur Steigerung der Effizienz

• Integrierte Robustheit mit Avalanche- und dynamischen dV/dt-Fähigkeiten

• Vollständig charakterisierte Kapazität für präzise Leistungsoptimierung

Anwendungsbereich

• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichtersystemen

• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen zur zuverlässigen Energiesicherung

• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise

• Konzipiert für hart geschaltete und hochfrequente

Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf die Effizienz aus?

Der niedrige RDS(on) reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz der Stromversorgung führt.

Was ist die Bedeutung der Lawinenfähigkeit?

Die Avalanche-Fähigkeit schützt den Baustein vor übermäßigen Spannungsspitzen und fördert eine stabile Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Kann dieses Gerät in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?

Ja, dieser MOSFET ist für Hochfrequenzschaltungen konzipiert und eignet sich daher für verschiedene fortschrittliche Anwendungen.

Wie hoch ist die maximale Stromstärke, die er bei hohen Temperaturen verarbeiten kann?

Bei einer Gehäusetemperatur von 100 °C kann der maximale kontinuierliche Drainstrom 92 A erreichen, was eine zuverlässige Leistung gewährleistet.

Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?

Es wird empfohlen, das Gerät auf einer flachen, gefetteten Oberfläche zu montieren, um die Wärmeübertragung auf den Kühlkörper zu maximieren.