Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 130 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 913-3979
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4310PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 2.081 | CHF 103.98 |
| 100 - 200 | CHF 1.707 | CHF 85.30 |
| 250 + | CHF 1.606 | CHF 80.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 913-3979
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4310PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.66mm | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.66mm | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300W maximale Verlustleistung - IRFB4310PBF
Dieser robuste und effiziente Leistungstransistor ist für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektroindustrie konzipiert. Die N-Kanal-Technologie bietet Vorteile bei der Energieverwaltung und den Schaltfunktionen. Sein Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C erhöht seine Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt bis zu 130 A kontinuierlichen Ableitstrom für hohe Lastanforderungen
• Arbeitet mit einer maximalen Spannung von 100 V für bessere Nutzbarkeit
• Niedriger RDS(on) von 7 mΩ minimiert den Leistungsverlust
• Verbesserungsmodus zur Steigerung der Effizienz
• Integrierte Robustheit mit Avalanche- und dynamischen dV/dt-Fähigkeiten
• Vollständig charakterisierte Kapazität für präzise Leistungsoptimierung
Anwendungsbereich
• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichtersystemen
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen zur zuverlässigen Energiesicherung
• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
• Konzipiert für hart geschaltete und hochfrequente
Wie wirkt sich der niedrige RDS(on) auf die Effizienz aus?
Der niedrige RDS(on) reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz der Stromversorgung führt.
Was ist die Bedeutung der Lawinenfähigkeit?
Die Avalanche-Fähigkeit schützt den Baustein vor übermäßigen Spannungsspitzen und fördert eine stabile Leistung unter schwierigen Bedingungen.
Kann dieses Gerät in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, dieser MOSFET ist für Hochfrequenzschaltungen konzipiert und eignet sich daher für verschiedene fortschrittliche Anwendungen.
Wie hoch ist die maximale Stromstärke, die er bei hohen Temperaturen verarbeiten kann?
Bei einer Gehäusetemperatur von 100 °C kann der maximale kontinuierliche Drainstrom 92 A erreichen, was eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?
Es wird empfohlen, das Gerät auf einer flachen, gefetteten Oberfläche zu montieren, um die Wärmeübertragung auf den Kühlkörper zu maximieren.
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