Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 7.7 A 42 W, 3-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
180-8351
Herst. Teile-Nr.:
IRFU120PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Montageart

Oberfläche, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.27Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRFU120 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 100 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über das DPAK- (TO-252) und das IPAK- (TO-251) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0..27 Ohm bei 10 VGS.

Dynamische dV-/dt-Bewertung

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Oberflächenmontage

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