Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Serie	DMN
	Gehäusegröße	UDFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.7W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23.4nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.58mm
	Länge	2.05mm
	Breite	2.05 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Serie DMN
	Gehäusegröße UDFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.7W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23.4nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.58mm
	Länge 2.05mm
	Breite 2.05 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet DMN1008UFDF-7

Ursprungsland:: CN

Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendungen

Batterieüberwachungsanwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 9.8 A 1.7 W, 6-Pin UDFN

Verwandte Links