DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 9.8 A 1.7 W, 6-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
182-6884
Herst. Teile-Nr.:
DMN1008UFDF-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

DMN

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23.4nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.05 mm

Höhe

0.58mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendungen

Batterieüberwachungsanwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

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