DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 9.8 A 1.7 W, 6-Pin UDFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
182-6884
Herst. Teile-Nr.:
DMN1008UFDF-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

UDFN

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.05mm

Höhe

0.58mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendungen

Batterieüberwachungsanwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

DC/DC-Wandler

Verwandte Links

Recently viewed