DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin DMN6069SE-13 SOT-223

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RS Best.-Nr.:
182-7095
Herst. Teile-Nr.:
DMN6069SE-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

11W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.55mm

Breite

3.55 mm

Höhe

1.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Anwendungen

Motorsteuerung

Transformator-Antriebsschalter

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

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