onsemi NVMJS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 235 A 128 W, 8-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
185-8157
Herst. Teile-Nr.:
NVMJS1D3N04CTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

235A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NVMJS1D3N04C

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Länge

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Nicht-konform

Ursprungsland:
PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem 5x6mm LFPAK-Gehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und hohe thermische Leistung konzipiert wurde. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK8-Paket, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei

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