Vishay SiSHA04DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- RS Best.-Nr.:
- 188-5123
- Herst. Teile-Nr.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.646 | CHF.6.41 |
| 100 - 240 | CHF.0.576 | CHF.5.76 |
| 250 - 490 | CHF.0.495 | CHF.4.95 |
| 500 - 990 | CHF.0.414 | CHF.4.17 |
| 1000 + | CHF.0.364 | CHF.3.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5123
- Herst. Teile-Nr.:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00215Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00215Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.93mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET ® Gen IV
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