Vishay SQJA42EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-5140
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.12.39
Nur noch Restbestände
- Letzte 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.239 | CHF.12.42 |
| 100 - 240 | CHF.1.176 | CHF.11.80 |
| 250 - 490 | CHF.0.893 | CHF.8.95 |
| 500 - 990 | CHF.0.809 | CHF.8.08 |
| 1000 + | CHF.0.62 | CHF.6.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5140
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA42EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJA42EP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.47 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJA42EP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.47 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.01mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
KFZ-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Verwandte Links
- Vishay SQJA42EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 27 W, 4-Pin SO-8 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 27 W, 8-Pin SQS460CENW-T1_GE3 PowerPAK 1212-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 27 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 27 W, 8-Pin SQSA82CENW-T1_GE3 PowerPAK
- Vishay SQJ443 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 24 A 27 W, 4-Pin SQJ443AEP-T1_GE3 PowerPAK
- Vishay SQJA38EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 68 W, 8-Pin SQJA38EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQ4940CEY Zweifach N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 8 A 4 W, 8-Pin SQ4940CEY-T1_GE3