onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 189-0264
Herst. Teile-Nr.:: NTPF190N65S3HF
Marke:: onsemi

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 189-0264
Herst. Teile-Nr.:: NTPF190N65S3HF
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	16.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.9 mm
	Länge	10.63mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 16.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.9 mm
	Länge 10.63mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet NTPF190N65S3HF

SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

700 V bei TJ = 150 °C

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 35 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 467 pF)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 161 mΩ

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Geringere Schaltverluste

Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Computer

Unterhaltungselektronik

Industriell

Endprodukte

Notebook/Desktop-Computer/Spielkonsole

Telekommunikation/Server

LED-Beleuchtung / Starter

Adapter

onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-220

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