onsemi NVMJS1D5N04CL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
195-2508
Herst. Teile-Nr.:
NVMJS1D5N04CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMJS1D5N04CL

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9mm

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK8-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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