onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 192 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
195-2517
Herst. Teile-Nr.:
NVB150N65S3F
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Höhe

4.58mm

Automobilstandard

AEC-Q101

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für das verschiedene Stromversorgungssystem für Miniaturisierung und höhere Effizienz. SuperFET III FRFET ® MOSFET's optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.

701 V bei TJ = 150 °C

Typ. RDS(on) = 114 m

Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 345 pF)

Diese Geräte sind bleifrei

Anwendungen

Kfz-On-Board-Ladegerät

KFZ-DC/DC-Wandler für HEV

Verwandte Links