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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	49A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	LFPAK
	Serie	NVMYS8D0N04C
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	38W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.25 mm
	Höhe	1.15mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße LFPAK
	Serie NVMYS8D0N04C
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 38W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.25 mm
	Höhe 1.15mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet NVMYS8D0N04CTWG

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

onsemi NVMYS8D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK

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