Vishay SQJA36EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 350 A 500 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 200-6823
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.691 | CHF.42.19 |
| 50 - 100 | CHF.1.439 | CHF.35.86 |
| 125 - 225 | CHF.1.302 | CHF.32.50 |
| 250 - 600 | CHF.1.05 | CHF.26.15 |
| 625 + | CHF.0.977 | CHF.24.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6823
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA36EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJA36EP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Länge | 4.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJA36EP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.25mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Länge 4.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQJA36EP-T1_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis< 1 optimiert das Schalten
Eigenschaften
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