Vishay SQJQ142E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 460 A 500 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 210-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.237 | CHF.11.16 |
| 50 - 120 | CHF.2.006 | CHF.10.05 |
| 125 - 245 | CHF.1.67 | CHF.8.36 |
| 250 - 495 | CHF.1.344 | CHF.6.70 |
| 500 + | CHF.1.113 | CHF.5.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 460A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ142E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 460A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ142E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK 8 x 8 L-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
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