STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 201-0859
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (30 Stück, in einer Stange mit 30)*
CHF 387.54
Nur noch Restbestände
- Letzte 840 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 12.918 | CHF 387.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-0859
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW35 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 14.8mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW35 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 14.8mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTW35 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 55 A 398 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 565 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 656 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 398 W, 3-Pin HIP-247-3
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 4-Pin Hip-247-4