STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 656 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 213-3943
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA90N65G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA90N65G2V-4
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 656W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 656W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
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