STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 202-5485
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW100N65G2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 420W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 420W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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