STMicroelectronics ST N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Entleerung / 25 A 190 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 202-5496
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5496
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 15.85mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie ST | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 15.85mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
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