STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5548
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STW70N65DM6-4
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.036Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 450W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie ST | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.036Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 450W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 41.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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