STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5548
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.297.54
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.9.918 | CHF.297.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5548
- Herst. Teile-Nr.:
- STW70N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.036Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 450W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie ST | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.036Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 450W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 41.2mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET-Module 600 V Entleerung / 38 A, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 52 A 330 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 39 A 250 W, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 62 A 390 W, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247