Vishay SQJQ144AE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 575 A 600 W, 8-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 204-7197
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ144AE-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- SQJQ144AE-T1_GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 575A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJQ144AE | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 600W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 8mm | |
| Länge | 8.2mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 575A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJQ144AE | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 600W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 8mm | ||
Länge 8.2mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein dünnes 1,6-mm-Gehäuse.
Sehr niedriger Wärmewiderstand
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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