Vishay SiHP052N60EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 278 W, 3-Pin SIHP052N60EF-GE3 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
SIHP052N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHP052N60EF

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

101nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.52mm

Höhe

14.4mm

Breite

4.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er)

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