Vishay SiHB17N80E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 204-7227
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB17N80E-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.392 | CHF.16.94 |
| 25 - 45 | CHF.3.045 | CHF.15.25 |
| 50 - 120 | CHF.2.709 | CHF.13.55 |
| 125 - 245 | CHF.2.604 | CHF.13.03 |
| 250 + | CHF.2.541 | CHF.12.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7227
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB17N80E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SiHB17N80E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SiHB17N80E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.88mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat einen Ron x Qg mit niedrigem Leistungswert (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
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