Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7240
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.40.32
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | CHF.2.016 | CHF.40.24 |
| 40 - 80 | CHF.1.607 | CHF.32.19 |
| 100 - 180 | CHF.1.407 | CHF.28.16 |
| 200 - 480 | CHF.1.166 | CHF.23.33 |
| 500 + | CHF.1.082 | CHF.21.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7240
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA81EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJA81EP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJA81EP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal 80 V (D-S) 175 °C MOSFET von Vishay Automotive ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Verwandte Links
- Vishay SQJA81EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 46 A 68 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQJA78EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin SQJA78EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQJA78EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 72 A 68 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJA38EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 68 W, 8-Pin SQJA38EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay SQJA66EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 68 W, 4-Pin SQJA66EP-T1_GE3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33.6 A 68 W, 4-Pin SQJ211ELP-T1_GE3 SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin SQJQ184E-T1_GE3 PowerPAK (8x8LR)
- Vishay SQS Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 27 W, 8-Pin SQSA82CENW-T1_GE3 PowerPAK